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Zwischensumme (1 Stück)*
1,46 €
(ohne MwSt.)
1,74 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,46 € |
| 10 - 49 | 1,33 € |
| 50 - 99 | 1,24 € |
| 100 - 249 | 1,15 € |
| 250 + | 1,06 € |
*Richtpreis
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 110 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 200 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 146 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.54mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 110 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 200 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 146 nC @ 10 V | ||
Länge 10.54mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 4.69mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 8.77mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
