Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
541-0856
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-346
Herst. Teile-Nr.:
IRFP150NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

42 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

36 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

160 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

110 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

15.9mm

Höhe

20.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 42A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 160W maximale Verlustleistung - IRFP150NPBF


Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert, die ein effizientes Schalten erfordern. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration bewältigt er effektiv große Leistungslasten, was ihn zu einer Schlüsselkomponente in verschiedenen elektronischen Schaltungen und Power-Management-Systemen macht. Seine Fähigkeit, in einem breiten Temperaturbereich zu funktionieren, erhöht seine Anpassungsfähigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 42A
• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V
• Niedriger Rds(on) von 36mΩ für verbesserte Effizienz
• Maximale Verlustleistung von 160 W
• Nutzt den Erweiterungsmodus für einen verbesserten Betrieb
• Integriert in ein TO-247AC-Gehäuse für einfache Montage

Anwendungsbereich


• Verwendet in Stromversorgungsschaltungen für Automatisierungsgeräte
• Geeignet für Motorsteuerung in Industriemaschinen
• Einsatz in erneuerbaren Energiesystemen zur effektiven Energieumwandlung
• Einsetzbar für Hochfrequenzschaltungen in der Telekommunikation

Kann das Produkt in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?


Ja, es arbeitet effektiv bei Temperaturen bis zu +175°C und ermöglicht den Einsatz unter schwierigen Bedingungen.

Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die er verarbeiten kann?


Der Baustein ist für eine maximale Gate-Source-Spannung von -20V und +20V ausgelegt und bietet vielfältige Möglichkeiten für das Schaltungsdesign.

Wie wirkt sich der niedrige Rds(on) auf die Leistung aus?


Ein niedriger Rds(on) minimiert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert so die Gesamteffizienz und das Wärmemanagement.

Ist es für die Durchgangslochmontage geeignet?


Ja, das TO-247AC-Gehäuse ist speziell für Anwendungen mit Durchsteckmontage vorgesehen.

Was sollte bei der Installation beachtet werden?


Stellen Sie sicher, dass das Gerät während des Betriebs ausreichend gekühlt wird, um eine optimale Leistung zu gewährleisten und eine Überhitzung zu vermeiden.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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