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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 36 A 140 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 541-1219
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-393
Herst. Teile-Nr.:: IRL540NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 36 A 140 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 541-1219
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-393
Herst. Teile-Nr.:: IRL540NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	36 A
	Drain-Source-Spannung max.	100 V
	Gehäusegröße	TO-220AB
	Serie	HEXFET
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	44 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2V
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	140 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	10.54mm
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	74 nC @ 5 V
	Breite	4.69mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Höhe	8.77mm
	Betriebstemperatur min.	-55 °C
	Diodendurchschlagsspannung	1.3V

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 36 A
	Drain-Source-Spannung max. 100 V
	Gehäusegröße TO-220AB
	Serie HEXFET
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 44 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2V
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 140 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 10.54mm
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 74 nC @ 5 V
	Breite 4.69mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Höhe 8.77mm
	Betriebstemperatur min. -55 °C
	Diodendurchschlagsspannung 1.3V

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 36A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRL540NPBF

Dieser MOSFET ist ein wesentliches Bauteil für Hochleistungsschaltungen, das für die effektive Bewältigung von Hochstrom- und Hochspannungsanwendungen konzipiert ist. Er arbeitet mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V und eignet sich daher für raue Umgebungen in Automatisierungs- und Elektroniksystemen. Seine starke Leistung und sein zuverlässiger Betrieb verbessern die Effizienz verschiedener elektrischer Systeme.

Eigenschaften und Vorteile

• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von 36 A für anspruchsvolle Anwendungen
• Niedriger Rds(on) von 44mΩ minimiert Leistungsverluste während des Betriebs
• Enhancement-Mode-Design verbessert die Schalteigenschaften für mehr Effizienz
• Verlustleistung von bis zu 140 W für Hochleistungsszenarien
• Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C ermöglicht Vielseitigkeit
• Durchgangslochmontage erleichtert die Integration in bestehende Systeme

Anwendungsbereich

• Energiemanagement in industriellen Automatisierungssystemen
• Steuerung von Elektromotoren in der Robotik
• DC-DC-Wandler in erneuerbaren Energiesystemen
• Stromversorgungen, die effiziente Schaltfunktionen erfordern
• Unterhaltungselektronik für die effektive Energieverteilung

Wie hoch sind die maximalen Spannungs- und Stromwerte?

Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt 100 V bei einem kontinuierlichen Drainstrom von 36 A.

Wie verbessert der niedrige Rds(on) die Leistung?

Ein niedriger Rds(on) von 44mΩ führt zu einer minimalen Verlustleistung, was die Effizienz erhöht und die thermische Belastung reduziert.

Welche Bedeutung hat der Anreicherungsmodus?

Dieser Modus ermöglicht eine bessere Kontrolle über den Betrieb, effizientes Schalten und vielseitige Anwendungen.

Kann das Produkt in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?

Ja, es arbeitet effektiv bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und ist für extreme Bedingungen geeignet.

Wie sollte es für eine optimale Leistung montiert werden?

Er ist für die Durchgangslochmontage konzipiert und gewährleistet eine sichere Installation und Konnektivität in Schaltkreisen.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.