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Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 40 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 541-1720
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-280
Herst. Teile-Nr.:: IRF5210PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 40 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 541-1720
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-280
Herst. Teile-Nr.:: IRF5210PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	40 A
	Drain-Source-Spannung max.	100 V
	Gehäusegröße	TO-220AB
	Serie	HEXFET
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	60 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	4V
	Gate-Schwellenspannung min.	2V
	Verlustleistung max.	200 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	180 nC @ 10 V
	Breite	4.69mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Länge	10.54mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Höhe	8.77mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.6V
	Betriebstemperatur min.	-55 °C

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 40 A
	Drain-Source-Spannung max. 100 V
	Gehäusegröße TO-220AB
	Serie HEXFET
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 60 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 4V
	Gate-Schwellenspannung min. 2V
	Verlustleistung max. 200 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 180 nC @ 10 V
	Breite 4.69mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Länge 10.54mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Höhe 8.77mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.6V
	Betriebstemperatur min. -55 °C

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 40A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRF5210PBF

Dieser MOSFET ist für verschiedene elektrische und elektronische Anwendungen konzipiert. Er ist für hohe Effizienz optimiert und unterstützt Automatisierungs- und Steuersysteme, bei denen ein effektives Energiemanagement entscheidend ist. Seine robusten Spezifikationen ermöglichen eine präzise Steuerung der Schaltkreise und gewährleisten Zuverlässigkeit und Effizienz in schwierigen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile

• 40 A kontinuierlicher Drainstrom für Hochleistungsanwendungen
• maximale Drain-Source-Spannung von 100 V bietet vielseitige Einsatzmöglichkeiten
• P-Kanal-Design vereinfacht die Schaltungskonfiguration
• Die Enhancement Mode-Funktionalität ermöglicht eine effiziente Energieverwaltung
• Hohe maximale Verlustleistung verbessert die thermische Leistung

Anwendungsbereich

• Leistungsschaltung in der industriellen Automatisierung
• DC-DC-Wandler für eine effiziente Energieversorgung
• Motorregelkreise für Präzision
• Szenarien der Spitzenbelastbarkeit in der Elektronik

Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Bauteil?

Das Bauteil kann bei einer maximalen Temperatur von +175°C betrieben werden und ist damit für Hochtemperaturanwendungen geeignet.

Wie wirkt sich der niedrige Durchlasswiderstand auf die Leistung der Schaltung aus?

Der niedrige Einschaltwiderstand führt zu geringeren Leistungsverlusten und damit zu einer höheren Energieeffizienz und einem verbesserten Wärmemanagement.

Eignet sich dies für Anwendungen in Automobilsystemen?

Ja, aufgrund seiner robusten Spezifikationen und thermischen Eigenschaften eignet er sich für Anwendungen in der Automobilindustrie, bei denen es auf Zuverlässigkeit ankommt.

In welche Art von Schaltungskonfigurationen kann es integriert werden?

Diese Komponente lässt sich nahtlos in verschiedene Konfigurationen integrieren, einschließlich Einzel- und Parallelanordnungen, und ermöglicht so eine flexible Gestaltung.

Wie sollte es installiert werden, um eine optimale Leistung zu gewährleisten?

Sorgen Sie für den richtigen Wärmekontakt mit einem Kühlkörper und halten Sie sich an die empfohlenen Richtlinien für das PCB-Layout, um Leistung und Zuverlässigkeit zu verbessern.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.