Teile-Nr.

Sie wurden zu RS Deutschland umgeleitet

Distrelec hat sich mit der RS Group zusammengeschlossen, sodass wir Ihnen ein noch breiteres Produktsortiment, lokalen Support und besseren Service bieten können.

In Ihrem Distrelec-Konto können Sie weiterhin Ihren Bestellverlauf, Ihre Retouren und Ihre Rechnungen einsehen und verwalten.

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 541-2470
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-337
Herst. Teile-Nr.:: IRFI540NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

1,65 €

(ohne MwSt.)

1,96 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

41 Stück versandfertig von einem anderen Standort
Zusätzlich 1.345 Stück versandfertig ab 25. November 2025

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück
1 - 9	1,65 €
10 - 49	1,50 €
50 - 99	1,38 €
100 - 249	1,29 €
250 +	1,18 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 541-2470
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-337
Herst. Teile-Nr.:: IRFI540NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	20 A
	Drain-Source-Spannung max.	100 V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	52 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	4V
	Gate-Schwellenspannung min.	2V
	Verlustleistung max.	54 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	94 nC @ 10 V
	Breite	4.83mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	10.63mm
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Betriebstemperatur min.	-55 °C
	Höhe	8.9mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.3V

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 20 A
	Drain-Source-Spannung max. 100 V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 52 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 4V
	Gate-Schwellenspannung min. 2V
	Verlustleistung max. 54 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 94 nC @ 10 V
	Breite 4.83mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 10.63mm
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Betriebstemperatur min. -55 °C
	Höhe 8.9mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.3V

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 20A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 54W maximale Verlustleistung - IRFI540NPBF

Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen in der Elektronikindustrie entwickelt. Er spielt eine entscheidende Rolle beim Energiemanagement und bietet eine zuverlässige Lösung zum Schalten und Verstärken elektronischer Signale. Es kann erhebliche Spannungs- und Stromlasten bewältigen und sorgt so für Effizienz in modernen elektronischen Geräten.

Eigenschaften und Vorteile

• Kontinuierliche Stromaufnahme bis zu 20A
• Nennspannung von 100 V für dauerhafte Leistung
• Niedrige Gate-Schwellenspannung erhöht die Schalteffizienz
• Hohe Verlustleistung von bis zu 54 W für Langlebigkeit
• N-Kanal-Enhancement-Mode-Design für eine Vielzahl von Anwendungen
• Niedriger Drain-Source-Widerstand von 52 mΩ minimiert den Energieverlust

Anwendungsbereich

• Verwendung in Stromversorgungen für elektronische Schaltungen
• Anwendbar in Kraftfahrzeug-Energieverwaltungssystemen
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen zur Steigerung der Effizienz
• Wichtig für die Energieumwandlung in erneuerbaren Energiesystemen
• Eingesetzt in automatisierten Maschinen für effektive Kontrollprozesse

Wie hoch ist der maximale Dauerstrom für dieses Gerät?

Das Gerät unterstützt einen maximalen Dauerstrom von 20 A und eignet sich damit für verschiedene Anwendungen.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?

Die Gate-Schwellenspannung reicht von 2V bis 4V, was ein effizientes Schalten bei niedrigeren Steuerspannungen ermöglicht und die Leistung verbessert.

Kann dieses Gerät in Umgebungen mit hohen Temperaturen betrieben werden?

Ja, er kann bei Temperaturen von bis zu +175 °C arbeiten und garantiert so Leistung unter schwierigen Bedingungen.

Gibt es eine bestimmte Montageart, die für eine optimale Leistung empfohlen wird?

Es ist für die Durchsteckmontage geeignet und ermöglicht sichere Verbindungen und ein effektives Wärmemanagement in verschiedenen Anwendungen.

Welche Vorteile bringt ein niedriger Drain-Source-Widerstand?

Der niedrige Drain-Source-Widerstand von 52 mΩ verringert die Wärmeentwicklung erheblich und verbessert den Wirkungsgrad, insbesondere bei Hochfrequenz-Schaltanwendungen.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.