HEXFET IRLR2905PBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 543-0563
  • Herst. Teile-Nr. IRLR2905PBF
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 42 A
Drain-Source-Spannung max. 55 V
Drain-Source-Widerstand max. 27 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 2V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 110 W
Höhe 2.39mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 48 nC @ 5 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Länge 6.73mm
Serie HEXFET
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +175 °C
Transistor-Werkstoff Si
Breite 6.22mm
78 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
Preis pro: Stück
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Stück
Pro Stück
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