- RS Best.-Nr.:
- 601-1961
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1062(F)
- Marke:
- Toshiba
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- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 0.2 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | SMini |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Verlustleistung max. | 200 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 2.9mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 1.5mm |
Höhe | 1.1mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Serie | 2SK |
- RS Best.-Nr.:
- 601-1961
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1062(F)
- Marke:
- Toshiba
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