Toshiba 2SK 2SK3700(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 601-2122
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3700(F)
- Marke:
- Toshiba
14 lieferbar innerhalb von 5 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück
2,33 €
(ohne MwSt.)
2,77 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück |
| 1 - 4 | 2,33 € |
| 5 - 9 | 2,20 € |
| 10 - 24 | 2,07 € |
| 25 - 49 | 1,96 € |
| 50 + | 1,87 € |
- RS Best.-Nr.:
- 601-2122
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3700(F)
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V |
| Gehäusegröße | TO-3P W, TO-3PN |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,5 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Verlustleistung max. | 150000 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 15.9mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.8mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Serie | 2SK |
| Höhe | 19mm |
- RS Best.-Nr.:
- 601-2122
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3700(F)
- Marke:
- Toshiba
Verwandte Produkte
- Toshiba 2SK 2SK2009(F) N-Kanal 3-Pin SMini
- Toshiba 2SK 2SK1062(F) N-Kanal 3-Pin SMini
- Vishay IRF9540PBF P-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Toshiba 2SK 2SK1829(TE85L SMD MOSFET 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM
- Toshiba 2SK 2SK3564 THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67
- Vishay IRF540PBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Toshiba TK TK9J90E N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- Toshiba 2SK 2SK3669(Q) N-Kanal 3-Pin PW Form