Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220

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650-4716
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-316
Herst. Teile-Nr.:
IRFB3077PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

210A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

370W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.66mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.82 mm

Höhe

9.02mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 210A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 75V maximale Drain-Source-Spannung - IRFB3077PBF


Dieser MOSFET ist ein hochleistungsfähiges Bauelement der Leistungselektronik, das sich für verschiedene anspruchsvolle Anwendungen eignet. Er wurde mit Si-MOSFET-Technologie entwickelt und verfügt über ein TO-220AB-MOSFET-Gehäuse, das ein effektives Wärmemanagement ermöglicht. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 210 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 75 V eignet er sich hervorragend für Hochstromanwendungen und gewährleistet eine zuverlässige Leistung unter schwierigen Bedingungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Erzielt einen niedrigen RDS(on) von 3,3mΩ für einen effizienten Betrieb

• Entwickelt für den Erweiterungsmodus, der robuste Anwendungen unterstützt

• Hohe maximale Verlustleistung von 370 W optimiert die Langlebigkeit des Geräts

• Verbesserte Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit gewährleistet Sicherheit

• Vollständig charakterisierte Kapazität, die die Schaltleistung verbessert

• Geeignet für Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltungen mit ausgezeichneter thermischer Stabilität

Anwendungen


• Einsatz in hocheffizienten Synchrongleichrichtersystemen

• Ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungskonfigurationen

• Wirksam in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen

• Ermöglicht effizientes Energiemanagement in industriellen Automatisierungssystemen

• Unterstützt verschiedene Stromversorgungskonzepte in elektrischer und mechanischer Hinsicht

Welchen Betriebstemperaturbereich kann dieses Bauteil aushalten?


Er arbeitet zuverlässig in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für eine Vielzahl von Umgebungen geeignet.

Welchen Nutzen hat der niedrige RDS(on) für die Anwendung?


Der niedrige RDS(on) reduziert die Verlustleistung während des Betriebs erheblich, was die Energieeffizienz und die thermische Leistung in Anwendungen, die einen hohen Stromfluss erfordern, verbessert.

Was sind die Vorteile des TO-220AB-Gehäuseformats?


Dieses Gehäuseformat sorgt für eine bessere Wärmeableitung und eine einfachere Installation, insbesondere bei der Durchsteckmontage, was robuste Schaltungsdesigns fördert.

Welche Art von Gate-Schwellenspannung ist dafür erforderlich?


Der Baustein unterstützt eine Gate-Schwellenspannung zwischen 2V und 4V, was die Kompatibilität mit verschiedenen Steuerschaltungen ermöglicht.

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