PowerTrench FDD8424H N/P-Kanal, Dual MOSFET, 40 V / 6,5 A; 9 A, 3,1 W, DPAK (TO-252) 5-Pin

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Produktdetails

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.
Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N, P
Dauer-Drainstrom max. 6,5 A; 9 A
Drain-Source-Spannung max. 40 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 5
Drain-Source-Widerstand max. 24 mΩ, 54 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 3,1 W
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Serie PowerTrench
Höhe 2.39mm
Länge 6.73mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 10 V, 17 nC @ 10 V
Breite 6.22mm
585 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
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625 - 1245
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