PowerTrench FDS6574A N-Kanal MOSFET, 20 V / 16 A, 2,5 W, SOIC 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 16 A
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 6 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V
Verlustleistung max. 2,5 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +175 °C
Serie PowerTrench
Höhe 1.5mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 75 nC @ 4,5 V
Transistor-Werkstoff Si
Länge 5mm
345 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
0,484
(ohne MwSt.)
0,576
(inkl. MwSt.)
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Pro Stück
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5 +
0,484 €
2,42 €
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