Teile-Nr.

PowerTrench FDS8878 N-Kanal MOSFET, 30 V / 10,2 A, 2,5 W, SOIC 8-Pin


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671-0725
Herst. Teile-Nr.:
FDS8878
Marke:
ON Semiconductor
Ursprungsland:
MY
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N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.10,2 A
Drain-Source-Spannung max.30 V
GehäusegrößeSOIC
Montage-TypSMD
Pinanzahl8
Drain-Source-Widerstand max.14 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung min.1.2V
Verlustleistung max.2,5 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Betriebstemperatur max.+150 °C
Breite4mm
Höhe1.5mm
SeriePowerTrench
Transistor-WerkstoffSi
Länge5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs17 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.-55 °C