PowerTrench FDS8878 N-Kanal MOSFET, 30 V / 10,2 A, 2,5 W, SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 671-0725
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS8878
- Marke:
- ON Semiconductor
- Ursprungsland:
- MY
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 + | 0,464 € | 2,32 € |
*Bitte VPE beachten |
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Eigenschaft | Wert |
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 10,2 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 14 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 2,5 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 4mm |
Höhe | 1.5mm |
Serie | PowerTrench |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |