PowerTrench FDS8878 N-Kanal MOSFET, 30 V / 10,2 A, 2,5 W, SOIC 8-Pin
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- RS Best.-Nr.:
- 671-0725
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS8878
- Marke:
- ON Semiconductor
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 10,2 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 14 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 2,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Serie | PowerTrench |
| Breite | 4mm |
| Länge | 5mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 1.5mm |