QFET FQD10N20CTM N-Kanal MOSFET Transistor, 200 V / 7,8 A, 50 W, DPAK 3-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 7,8 A
Drain-Source-Spannung max. 200 V
Gehäusegröße DPAK
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 360 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 50 W
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 6.1mm
Höhe 2.3mm
Länge 6.6mm
Serie QFET
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