2N7000 N-Kanal MOSFET, 60 V / 200 mA, 400 mW, TO-92 3-Pin

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Produktdetails

MOSFET mit erhöhter Leistung, Fairchild Semiconductor

Robuste Stoßentladungstechnologie
Robuste Gate-Oxide-Technologie
Niedrigere Eingangskapazität
Optimierte Gatterladung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 200 mA
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße TO-92
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 5 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V
Verlustleistung max. 400 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Länge 5.2mm
Breite 4.19mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Höhe 5.33mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
1140 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
8440 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
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Pro Stück
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20 - 20
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4,74 €
40 - 80
0,183 €
3,66 €
100 - 180
0,162 €
3,24 €
200 - 380
0,14 €
2,80 €
400 +
0,137 €
2,74 €
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