PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal MOSFET, 60 V / 17 A, 310 W, TO-220AB 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 17 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 4 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 310 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 4.83mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 96 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Länge 10.67mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Serie PowerTrench
Höhe 9.65mm
Transistor-Werkstoff Si
876 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (in Stange(n))
1,41
(ohne MwSt.)
1,68
(inkl. MwSt.)
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1 +
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