UniFET FDP52N20 N-Kanal MOSFET, 200 V / 52 A, 357 W, TO-220AB 3-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: GB
Produktdetails

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.
UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 52 A
Drain-Source-Spannung max. 200 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 41 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 357 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 49 nC @ 10 V
Höhe 9.4mm
Serie UniFET
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 10.1mm
Breite 4.7mm
Transistor-Werkstoff Si
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