- RS Best.-Nr.:
- 687-5239
- Herst. Teile-Nr.:
- STF11NM80
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 400 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 35 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Länge | 10.4mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 4.6mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 43,6 nC bei 10 V |
Höhe | 9.3mm |
Betriebstemperatur min. | -65 °C |
Serie | MDmesh |
- RS Best.-Nr.:
- 687-5239
- Herst. Teile-Nr.:
- STF11NM80
- Marke:
- STMicroelectronics
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