SUM110P06-07L-E3 P-Kanal MOSFET, 60 V / 110 A, 3750 mW, D2PAK (TO-263) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 710-5060
  • Herst. Teile-Nr. SUM110P06-07L-E3
  • Marke Vishay
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

MERKMALE
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 110 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße D2PAK (TO-263)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 7 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 3750 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 4.83mm
Breite 9.65mm
Länge 10.41mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 230 nC bei 10 V
Betriebstemperatur max. +175 °C
Transistor-Werkstoff Si
105 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
830 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
2,814
(ohne MwSt.)
3,349
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 35
2,814 €
14,07 €
40 - 195
2,174 €
10,87 €
200 - 395
1,788 €
8,94 €
400 +
1,732 €
8,66 €
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: