OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 mA, 500 mW, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 752-7773
  • Herst. Teile-Nr. 2N7002H6327XTSA2
  • Marke Infineon
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Produktdetails

OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 300 mA
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 4 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1.5V
Verlustleistung max. 500 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Breite 1.3mm
Länge 2.9mm
Serie OptiMOS
Höhe 1mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,4 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
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2000 +
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