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Zwischensumme (1 Stück)*
2,27 €
(ohne MwSt.)
2,70 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,27 € |
| 10 - 24 | 2,16 € |
| 25 - 49 | 2,07 € |
| 50 - 99 | 1,98 € |
| 100 + | 1,84 € |
*Richtpreis
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 FP | |
| Serie | CoolMOS™ C3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 280 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.9V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 34 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.65mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.85mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 9.83mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 15 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220 FP | ||
Serie CoolMOS™ C3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 280 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.9V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 34 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 63 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.65mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.85mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 9.83mm | ||
