BS170_D26Z N-Kanal MOSFET, 60 V / 500 mA, 830 mW, TO-92 3-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 500 mA
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße TO-92
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 5 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V
Verlustleistung max. 830 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Länge 5.2mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 5.33mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 4.19mm
50 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 50)
0,243
(ohne MwSt.)
0,289
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 - 200
0,243 €
12,15 €
250 - 450
0,104 €
5,20 €
500 - 950
0,102 €
5,10 €
1000 - 1950
0,078 €
3,90 €
2000 +
0,06 €
3,00 €
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