PowerTrench FDD86113LZ N-Kanal MOSFET, 100 V / 5,5 A, 29 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 5,5 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 170 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 29 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Höhe 2.39mm
Breite 6.22mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,7 nC @ 10 V
Serie PowerTrench
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 6.73mm
Transistor-Werkstoff Si
Nicht mehr im Sortiment