PowerTrench FDD86113LZ N-Kanal MOSFET, 100 V / 5,5 A, 29 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 5,5 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Drain-Source-Widerstand max. 170 mΩ
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 3
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 29 W
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie PowerTrench
Höhe 2.39mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 6.22mm
Transistor-Werkstoff Si
Länge 6.73mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,7 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Nicht mehr im Sortiment