- RS Best.-Nr.:
- 787-9036
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
20 - 180 | 0,335 € | 6,70 € |
200 - 480 | 0,315 € | 6,30 € |
500 - 980 | 0,285 € | 5,70 € |
1000 - 1980 | 0,268 € | 5,36 € |
2000 + | 0,252 € | 5,04 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 787-9036
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 5,6 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 51 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 2,1 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 1.4mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,8 nC @ 10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 3.04mm |
Höhe | 1.02mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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