SI2318CDS-T1-GE3 N-Kanal MOSFET, 40 V / 5,6 A, 2,1 W, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 787-9036
  • Herst. Teile-Nr. SI2318CDS-T1-GE3
  • Marke Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 5,6 A
Drain-Source-Spannung max. 40 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 51 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V
Verlustleistung max. 2,1 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 1.4mm
Höhe 1.02mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,8 nC @ 10 V
Länge 3.04mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
520 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
0,32
(ohne MwSt.)
0,38
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 80
0,32 €
6,40 €
100 - 180
0,294 €
5,88 €
200 - 480
0,277 €
5,54 €
500 - 980
0,255 €
5,10 €
1000 +
0,234 €
4,68 €
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: