SI2319CDS-T1-GE3 P-Kanal MOSFET, 40 V / 4,4 A, 2,5 W, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 787-9042
  • Herst. Teile-Nr. SI2319CDS-T1-GE3
  • Marke Vishay
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

MERKMALE
• halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• 100 % Rg geprüft
• Erfüllt RoHS-Direktive 2002/95/EG

ANWENDUNGEN
• Lastschalter
• DC/DC-Wandler

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 4,4 A
Drain-Source-Spannung max. 40 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 108 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V
Verlustleistung max. 2,5 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3.04mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13,6 nC @ 10 V
Höhe 1.02mm
Breite 1.4mm
Transistor-Werkstoff Si
540 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
2610 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
0,397
(ohne MwSt.)
0,472
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 20
0,397 €
3,97 €
30 - 140
0,232 €
2,32 €
150 - 740
0,196 €
1,96 €
750 - 1490
0,187 €
1,87 €
1500 +
0,182 €
1,82 €
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: