D Series SIHP6N40D-GE3 N-Kanal MOSFET, 400 V / 6 A, 104 W, TO-220AB 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 787-9187
  • Herst. Teile-Nr. SIHP6N40D-GE3
  • Marke Vishay
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 6 A
Drain-Source-Spannung max. 400 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 1 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 104 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 4.65mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9 nC @ 10 V
Höhe 9.01mm
Serie D Series
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 10.51mm
Transistor-Werkstoff Si
275 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
0,952
(ohne MwSt.)
1,133
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45
0,952 €
4,76 €
50 - 120
0,876 €
4,38 €
125 - 245
0,824 €
4,12 €
250 - 495
0,758 €
3,79 €
500 +
0,698 €
3,49 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Verpackungsoptionen: