ECH8601M-TL-H N-Kanal, Dual MOSFET Transistor, 24 V / 8 A, 1,5 W, ECH 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 8 A
Drain-Source-Spannung max. 24 V
Drain-Source-Widerstand max. 23 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 1.3V
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V
Gehäusegröße ECH
Montage-Typ SMD
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain
Pinanzahl 8
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 1,5 W
Höhe 0.9mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 2.9mm
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7,5 nC @ 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Breite 2.3mm
Nicht mehr im Sortiment