- RS Best.-Nr.:
- 792-5741
- Herst. Teile-Nr.:
- STF25N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Serie | STripFET H7 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 35 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
Verlustleistung max. | 25 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 10.4mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Breite | 4.6mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 16.4mm |
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