FemtoFET CSD17483F4T N-Kanal MOSFET, 30 V / 1,5 A, 500 mW, PICOSTAR 3-Pin

Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 1,5 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße PICOSTAR
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 550 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1.1V
Gate-Schwellenspannung min. 0.65V
Verlustleistung max. 500 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 0.64mm
Länge 1.04mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,01 nC @ 4,5 V
Höhe 0.35mm
Serie FemtoFET
Betriebstemperatur max. +150 °C
1360 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
0,05
(ohne MwSt.)
0,06
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 +
0,05 €
1,00 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Aufgrund zeitweiliger Lieferengpässe sind über die verfügbare Menge hinaus Vorbestellungen nicht möglich
Verpackungsoptionen: