RUR040N02TL N-Kanal MOSFET, 20 V / 4 A, 1 W, TSMT 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 826-7813
  • Herst. Teile-Nr. RUR040N02TL
  • Marke ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: TH
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 4 A
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße TSMT
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 110 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1.3V
Verlustleistung max. 1 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Breite 1.6mm
Höhe 0.8mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8 nC @ 4,5 V
Länge 2.9mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Voraussichtlich ab 23.09.2020 verfügbar.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
0,41
(ohne MwSt.)
0,48
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 180
0,41 €
8,20 €
200 +
0,252 €
5,04 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
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