HEXFET IRFS4615TRLPBF N-Kanal MOSFET, 150 V / 33 A, 144 W, D2PAK (TO-263) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 827-4114
  • Herst. Teile-Nr. IRFS4615TRLPBF
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 33 A
Drain-Source-Spannung max. 150 V
Drain-Source-Widerstand max. 42 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 5V
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße D2PAK (TO-263)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 144 W
Länge 10.67mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 26 nC @ 10 V
Breite 9.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Serie HEXFET
Höhe 4.83mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
1770 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
1,324
(ohne MwSt.)
1,576
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45
1,324 €
6,62 €
50 - 95
1,128 €
5,64 €
100 +
0,90 €
4,50 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Verpackungsoptionen: