NexFET CSD16412Q5A N-Kanal MOSFET, 25 V / 52 A, 3 W, SON 8-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 52 A
Drain-Source-Spannung max. 25 V
Gehäusegröße SON
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 16 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. 1.7V
Verlustleistung max. 3 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -12 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,9 nC @ 4,5 V
Breite 5mm
Länge 5.8mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. -55 °C
Höhe 1.1mm
Serie NexFET
60 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
0,727
(ohne MwSt.)
0,865
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 10
0,727 €
7,27 €
20 - 90
0,557 €
5,57 €
100 - 190
0,437 €
4,37 €
200 - 390
0,42 €
4,20 €
400 +
0,404 €
4,04 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Aufgrund zeitweiliger Lieferengpässe sind über die verfügbare Menge hinaus Vorbestellungen nicht möglich
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