Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 827-6126
- Herst. Teile-Nr.:
- TK12P60W,RVQ(S
- Marke:
- Toshiba
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- Herst. Teile-Nr.:
- TK12P60W,RVQ(S
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Serie | TK |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 340 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V |
| Verlustleistung max. | 100 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 6.1mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Länge | 6.6mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 2.3mm |
- RS Best.-Nr.:
- 827-6126
- Herst. Teile-Nr.:
- TK12P60W,RVQ(S
- Marke:
- Toshiba
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