LND150N8-G N-Kanal MOSFET, 500 V / 30 mA, 1,6 W, TO-243AA 4-Pin

  • RS Best.-Nr. 829-3253
  • Herst. Teile-Nr. LND150N8-G
  • Marke Microchip
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 30 mA
Drain-Source-Spannung max. 500 V
Gehäusegröße TO-243AA
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 4
Drain-Source-Widerstand max. 1 kΩ
Channel-Modus Depletion
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Verlustleistung max. 1,6 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 1.6mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 2.6mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Länge 4.6mm
1160 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
0,467
(ohne MwSt.)
0,556
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 20
0,467 €
9,34 €
40 - 80
0,445 €
8,90 €
100 +
0,409 €
8,18 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Verpackungsoptionen: