DN2530N3-G N-Kanal MOSFET, 300 V / 175 mA, 740 mW, TO-92 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 829-3320
  • Herst. Teile-Nr. DN2530N3-G
  • Marke Microchip
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 175 mA
Drain-Source-Spannung max. 300 V
Drain-Source-Widerstand max. 12 Ω
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-92
Montage-Typ Durchsteckmontage
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 3
Channel-Modus Depletion
Verlustleistung max. 740 mW
Höhe 5.33mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 5.2mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 4.19mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
40 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
190 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
0,468
(ohne MwSt.)
0,557
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 20
0,468 €
4,68 €
30 - 90
0,446 €
4,46 €
100 +
0,41 €
4,10 €
*Bitte VPE beachten
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