PowerTrench FDC5661N_F085 N-Kanal MOSFET, 60 V / 4 A, 1,6 W, SOT-23 6-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 4 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 6
Drain-Source-Widerstand max. 86 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 1,6 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 1mm
Serie PowerTrench
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14,5 nC @ 10 V
Breite 1.7mm
1550 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 25)
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