PowerTrench FDC5661N_F085 N-Kanal MOSFET, 60 V / 4 A, 1,6 W, SOT-23 6-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: US
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 4 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 6
Drain-Source-Widerstand max. 86 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 1,6 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Serie PowerTrench
Breite 1.7mm
Höhe 1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14,5 nC @ 10 V
2575 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
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