MagnaChip MDS3603URH P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Diese Niederspannungs-MOSFETs (LV) bieten niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltleistung.

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	14,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	38,4 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4mm
Diodendurchschlagsspannung	1V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.5mm