- RS Best.-Nr.:
- 871-6649
- Herst. Teile-Nr.:
- MDD3N50GRH
- Marke:
- MagnaChip
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 871-6649
- Herst. Teile-Nr.:
- MDD3N50GRH
- Marke:
- MagnaChip
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Hochspannungs-MOSFET (HV)
Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET (HV) MOSFET, mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltleistung.
MOSFET-Transistoren, MagnaChip
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 2,8 A |
Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 2,5 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Verlustleistung max. | 45 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Breite | 6.22mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 6.73mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,75 nC @ 10 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 2.39mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.4V |
- RS Best.-Nr.:
- 871-6649
- Herst. Teile-Nr.:
- MDD3N50GRH
- Marke:
- MagnaChip