VP2106N3-G P-Kanal MOSFET, 60 V / 250 mA, 1 W, TO-92 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 879-3283
  • Herst. Teile-Nr. VP2106N3-G
  • Marke Microchip
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Produktdetails

Supertex P-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET-Transistoren

Die Supertex-Serie von P-Kanal-Anreicherungstyp-DMOS-FET-Transistoren (normalerweise aus) von Microchip ist für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen geeignet, bei denen niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 250 mA
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße TO-92
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 15 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V
Verlustleistung max. 1 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Diodendurchschlagsspannung 2V
Breite 4.06mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 5.33mm
Länge 5.08mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
175 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
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Preis pro: Stück (In einer VPE à 25)
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