Teile-Nr.
Elektronische Bauelemente, Stromversorgung und Steckverbinder
Elektromechanik, Automation und Kabel
Mechanikkomponenten, Werkzeug- und Laborbedarf
IT, Messtechnik, Schutz- und Sicherheitsprodukte

SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal MOSFET, 60 V / 170 mA, 360 mW, SOT-23 3-Pin

RS Best.-Nr.:
8922217P
Herst. Teile-Nr.:
BSS84PH6327XTSA2
Marke:
Infineon
Infineon

Voraussichtlich ab 05.05.2022 verfügbar.
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RS Best.-Nr.:
8922217P
Herst. Teile-Nr.:
BSS84PH6327XTSA2
Marke:
Infineon

Rechtliche Anforderungen


Produktdetails

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs







Technische Daten

EigenschaftWert
Channel-TypP
Dauer-Drainstrom max.170 mA
Drain-Source-Spannung max.60 V
GehäusegrößeSOT-23
Montage-TypSMD
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.12 Ω
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.2V
Gate-Schwellenspannung min.1V
Verlustleistung max.360 mW
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Betriebstemperatur min.–55 °C
SerieSIPMOS
Transistor-WerkstoffSi
Betriebstemperatur max.+150 °C
Höhe0.9mm
Diodendurchschlagsspannung1.24V
Gate-Ladung typ. @ Vgs1 nC @ 10 V
Länge2.9mm
Breite1.3mm
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