NexFET N-Kanal MOSFET, 100 V / 272 A, 375 W, D2PAK (TO-263) 3-Pin

Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 272 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Gehäusegröße D2PAK (TO-263)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 2,8 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 375 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 4.83mm
Serie NexFET
Betriebstemperatur max. +175 °C
Länge 10.67mm
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 118 nC @ 0 V
Betriebstemperatur min. –55 °C
Diodendurchschlagsspannung 1.1V
Breite 9.65mm
Preis pro: Stück
4,95
(ohne MwSt.)
5,89
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 9
4,95 €
10 - 24
3,58 €
25 - 49
3,42 €
50 +
3,28 €
Aufgrund zeitweiliger Lieferengpässe sind über die verfügbare Menge hinaus Vorbestellungen nicht möglich
Verpackungsoptionen: