Infineon OptiMOS 3 IPT020N10N3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 906-4356
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT020N10N3ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Serie | OptiMOS 3 |
| Gehäusegröße | HSOF-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,7 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Verlustleistung max. | 375 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 156 nC @ 10 V |
| Länge | 10.58mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 10.1mm |
| Höhe | 2.4mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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