OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 906-4407
  • Herst. Teile-Nr. IPT007N06NATMA1
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 300 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Drain-Source-Widerstand max. 1 mΩ
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße HSOF
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 375 W
Höhe 2.4mm
Serie OptiMOS 5
Betriebstemperatur max. +175 °C
Länge 10.58mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 216 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung 1V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 10.1mm
Voraussichtlich ab 26.05.2020 verfügbar.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 2)
2,68
(ohne MwSt.)
3,19
(inkl. MwSt.)
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5,36 €
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