OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 906-4407
  • Herst. Teile-Nr. IPT007N06NATMA1
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 300 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße HSOF
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 1 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 375 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Serie OptiMOS 5
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 216 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff Si
Diodendurchschlagsspannung 1V
Breite 10.1mm
Höhe 2.4mm
Länge 10.58mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
6 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 2)
6,605
(ohne MwSt.)
7,86
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18
6,605 €
13,21 €
20 - 98
5,08 €
10,16 €
100 - 198
4,415 €
8,83 €
200 - 498
4,195 €
8,39 €
500 +
3,76 €
7,52 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Verpackungsoptionen: