OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 906-4407P
  • Herst. Teile-Nr. IPT007N06NATMA1
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 300 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße HSOF
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 1 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 375 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur max. +175 °C
Serie OptiMOS 5
Betriebstemperatur min. –55 °C
Länge 10.58mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 216 nC @ 10 V
Höhe 2.4mm
Breite 10.1mm
Diodendurchschlagsspannung 1V
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