Teile-Nr.

OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin

RS Best.-Nr.:
9064407P
Herst. Teile-Nr.:
IPT007N06NATMA1
Marke:
Infineon
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RoHS Status: Nicht zutreffend

Rechtliche Anforderungen

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Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5



Technische Daten

EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.300 A
Drain-Source-Spannung max.60 V
GehäusegrößeHSOF
Montage-TypSMD
Pinanzahl8
Drain-Source-Widerstand max.1 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Verlustleistung max.375 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Transistor-WerkstoffSi
Breite10.1mm
Höhe2.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs216 nC @ 10 V
Länge10.58mm
Betriebstemperatur max.+175 °C
Diodendurchschlagsspannung1V
Betriebstemperatur min.–55 °C
SerieOptiMOS 5
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