NexFET CSD17573Q5BT N-Kanal MOSFET, 30 V / 43 A, 3,2 W, VSCON-CLIP 8-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 43 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße VSCON-CLIP
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 1,45 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 3,2 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 5.1mm
Diodendurchschlagsspannung 1V
Gate-Ladung typ. @ Vgs 49 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. –55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Länge 6.1mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie NexFET
Höhe 1.05mm
575 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
0,756
(ohne MwSt.)
0,90
(inkl. MwSt.)
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5 +
0,756 €
3,78 €
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