SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal MOSFET, 600 V / 120 mA, 1,8 W, SOT-223 3 + Tab-Pin

  • RS Best.-Nr. 911-4805
  • Herst. Teile-Nr. BSP135H6327XTSA1
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 120 mA
Drain-Source-Spannung max. 600 V
Gehäusegröße SOT-223
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3 + Tab
Drain-Source-Widerstand max. 45 Ω
Channel-Modus Depletion
Verlustleistung max. 1,8 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –55 °C
Breite 3.5mm
Länge 6.5mm
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,7 nC @ 5 V
Höhe 1.6mm
Serie SIPMOS
Betriebstemperatur max. +150 °C
Voraussichtlich ab 27.05.2021 verfügbar.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 1000)
0,485
(ohne MwSt.)
0,577
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 - 2000
0,485 €
485,00 €
3000 +
0,461 €
461,00 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.