Teile-Nr.

HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

RS Best.-Nr.:
913-4802
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2905TRPBF
Marke:
Infineon
Infineon

Voraussichtlich ab 09.12.2021 verfügbar.
Add to Basket
Stück

Nicht als Expresslieferung erhältlich.

Im Warenkorb

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)

0,591 €

(ohne MwSt.)

0,703 €

(inkl. MwSt.)

StückPro StückPro Rolle*
2000 - 40000,591 €1.182,00 €
6000 +0,561 €1.122,00 €
*Bitte VPE beachten
RS Best.-Nr.:
913-4802
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2905TRPBF
Marke:
Infineon

Rechtliche Anforderungen


Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon




Technische Daten

EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.42 A
Drain-Source-Spannung max.55 V
GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Montage-TypSMD
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.40 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.2V
Gate-Schwellenspannung min.1V
Verlustleistung max.110 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.–16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Länge6.73mm
Betriebstemperatur min.–55 °C
Breite6.22mm
SerieHEXFET
Transistor-WerkstoffSi
Betriebstemperatur max.+175 °C
Höhe2.39mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs48 nC @ 5 V
Voraussichtlich ab 09.12.2021 verfügbar.
Add to Basket
Stück

Nicht als Expresslieferung erhältlich.

Im Warenkorb

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)

0,591 €

(ohne MwSt.)

0,703 €

(inkl. MwSt.)

StückPro StückPro Rolle*
2000 - 40000,591 €1.182,00 €
6000 +0,561 €1.122,00 €
*Bitte VPE beachten