NexFET CSD16406Q3 N-Kanal MOSFET, 25 V / 79 A, 46 W, SON 8-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 79 A
Drain-Source-Spannung max. 25 V
Gehäusegröße SON
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 7,4 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.2V
Gate-Schwellenspannung min. 1.4V
Verlustleistung max. 46 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -12 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 3.4mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,8 nC bei 4,5 V
Diodendurchschlagsspannung 1V
Höhe 1.1mm
Serie NexFET
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3.4mm
220 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
0,809
(ohne MwSt.)
0,963
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90
0,809 €
8,09 €
100 - 240
0,581 €
5,81 €
250 - 490
0,546 €
5,46 €
500 - 740
0,512 €
5,12 €
750 +
0,502 €
5,02 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Aufgrund zeitweiliger Lieferengpässe sind über die verfügbare Menge hinaus Vorbestellungen nicht möglich
Verpackungsoptionen: