C2M0280120D N-Kanal MOSFET, 1200 V / 10 A, 62,5 W, TO-247 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 915-8820
  • Herst. Teile-Nr. C2M0280120D
  • Marke Wolfspeed
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.

• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb

MOSFET-Transistoren, Wolfspeed

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 10 A
Drain-Source-Spannung max. 1200 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 370 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 62,5 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 5.21mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20,4 nC @ 20 V
Länge 16.13mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Diodendurchschlagsspannung 3.3V
Betriebstemperatur min. –55 °C
Transistor-Werkstoff SiC
Breite 21.1mm
22 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
148 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 2)
6,12
(ohne MwSt.)
7,28
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8
6,12 €
12,24 €
10 - 28
5,765 €
11,53 €
30 - 58
5,62 €
11,24 €
60 - 118
5,475 €
10,95 €
120 +
5,335 €
10,67 €
*Bitte VPE beachten
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