SI2333DDS-T1-GE3 P-Kanal MOSFET, 12 V / 6 A, 1,7 W, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 919-4220
  • Herst. Teile-Nr. SI2333DDS-T1-GE3
  • Marke Vishay
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 6 A
Drain-Source-Spannung max. 12 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 19 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V
Verlustleistung max. 1,7 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 1.4mm
Höhe 1.02mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur max. +150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 23 nC @ 8 V
Länge 3.04mm
66000 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,123
(ohne MwSt.)
0,146
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +
0,123 €
369,00 €
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